?最近,半导体圈又掀起了一轮反垄断浪潮。 首当其冲的是AI芯片巨头英伟达,美国司法部盯上英伟达并对其展开两项反垄断调查。 首先是今年4月,英伟达斥资7亿美元收购了以色列一家专门从事GPU管理软件的初创公司Run:ai
?自ChatGPT爆火之后,千亿球友会平台AI大模型的研发层出不穷,而在这场“百模大战”激战正酣之际,美国芯片公司英伟达却凭借其GPU在大模型计算中的出色发挥赚得盆满钵满。 然而,近日苹果的一项举动,给英伟达的火热稍稍降温
?最近有消息称台积电以总价约200亿新台币买下群创5.5代LCD面板厂。 群创今年七月发布公告表示,为助力公司运营及未来发展动能,充实运营资金,计划出售南科D厂区(5.5代厂)TAC厂相关不动产
经历了 2023 年的动荡不安,2024 年半导体行业正欣然迎来一片新光景。 随着 2024 年中报的最新出炉,芯片大厂们的业绩成为市场瞩目的焦点。根据美国市场研究机构Gartner发布的2023年
近期,有消息传出,联发科最新的5G旗舰手机SoC天玑9400要涨价。 看参数,天玑9400的AI效能QY球友会、能耗、NPU算力等均有所提升,将与高通骁龙8 Gen4竞争,首发机种为vivo X200系列产品
7月24日,全球知名的电子制造服务巨头富士康的母公司鸿海精密工业股份有限公司正式对外发布了一则重大投资公告,富士康将在郑州投资建设新事业总部大楼,承载新事业总部功能。这一战略举措不仅彰显了富士康对中国市场持续深化的承诺与信心,也预示着该集团业务版图的新一轮扩张与升级
巨人的阿喀琉斯之踵。 文丨华商韬略 美国时间8月2日,英特尔股价暴跌超过26%,市值更是跌破千亿美元历史关口。 2000年,英特尔以3000亿美元的市值傲立科技浪潮之巅。20多年过去,英特尔
?“算力”相关产业近期持续火爆,智算中心的建设,也正在遍地开花。 进入2024年,就有武昌智算中心、中国移动智算中心(青岛)、华南数谷智算中心、郑州人工智能计算中心、博大数据深圳前海智算中心等相继开工或投产使用
报告预测,在未来五年内,部署在非加速基础设施(即“前端网络”)中的以太网数据中心交换机的销售额将超过1000亿美元。
狄更斯说:“这是一个最好的时代,也是一个最坏的时代。” 如果给这个时代一个更准确的定位,这是一个AI的时代。2024年《政府工作报告》提出:“要大力推进现代化产业体系建设,加快发展新质生产力
?最近,有专家呼吁业界尽早统一封测技术标准,特别是先进封装QY球友会。 SEMI日本办事处总裁Jim Hamajima表示,芯片行业需要更多后端生产流程的国际标准,以使英特尔和台积电等晶圆厂能够更有效地提高产能
?随着人工智能(AI)技术的飞速发展,其应用边界不断拓宽,从简单的图像识别到复杂的自然语言处理,再到自动驾驶、智能制造等前沿领域,AI正以前所未有的速度改变着我们的世界。 在这场AI革命中,深度学习作为其核心驱动力,不断推动着算法与模型的革新,同时也对计算资源提出了更为严苛的要求
作者:泰罗,编辑:小市妹 7月24日,A股6G概念股表现强势,金信诺20cm涨停,世嘉科技封板,鼎通科技、千亿球友会平台上海沪工、通宇通讯等公司走强。 相比5GQY球友会,6G的技术指标堪称跃进式升级,运行速度可以达到TB级别,延迟率仅是微秒(百万分之一秒)级,不仅增加了通信安全性,覆盖范围更是天地空全融合
分析机构给出今年二季度的数据指,中国最大的芯片企业中芯国际已成全球第三大芯片制造企业,美国芯片制造企业格芯大幅衰退,格芯从之前的第三名跌至第五名,意味着中国芯片取得了巨大的进展。 今年一季度的数
?2024年,半导体产业正迎来新开局。 根据美国半导体产业协会(SIA)数据显示,5月全球半导体产业销售额达491亿美元,环比增长4.1%,同比增长19.3%。 SIA 总裁兼首席执行官 Jo
潮流就是即便你放弃了我,也不妨碍我越来越火。 距离特斯拉宣布放弃碳化硅已经过去了一年,这个市场非但没有被抛弃,反而以GaN、SiC为代表的第三代半导体发展备受关注:Yole数据显示,2026年GaN市场规模预计可达6.72亿美元
第一章 行业概况1.1 简介6G,即第六代移动通信标准,是移动通信技术的最新进展,继承并超越了第五代移动通信技术(5G)。6G不仅在通信速度和连接能力上有显著提升,还将在推动物联网(IoT)发展方面发挥关键作用
?在芯片制造领域,先进制程的影响力和统治力越来越大,已经从之前的逻辑芯片晶圆代工领域,拓展到最先进的存储芯片制造,这在台积电和三星身上有
?在这半年的时间里,存储芯片市场经历了多次价格波动。从年初的平稳开局,到随后的快速上涨,再到近期的波动调整,每一次价格变动都牵动着业界的神经。那么,这半年来存储芯片究竟涨价几何呢? 01 机构
?作为第三代半导体材料的典型代表,碳化硅(SiC)与硅(Si)相比,拥有更加优异的物理和化学特性,使得SiC器件能降低能耗20%以上,减少体积和重量30%~50%,可满足中低压、高压、超高压功率器件制备要求
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